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NAND Flash控制芯片低头

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2008-08-04   阅读:1069

 
    NAND Flash控制芯片市场越来越艰辛,2008年将破天荒出现第3季度营运出现衰退窘境!慧荣表示,第2季度出货量虽突破1亿颗,但毛利率首度跌破50%,更下修全年营运目标,造成慧荣在美股价于盘后大跌25%,而纯NAND Flash控制芯片设计业者如三星电子(Samsung Electronics)转投资的擎泰等,也面临第3季度营运较第2季度衰退情况。
 
    慧荣总经理苟嘉章表示,第2季度许多NAND Flash厂开始减产,并降低记忆卡代工量,连带影响控制芯片业者出货量,加上插卡式手机市场销售不如预期,间接打击控制芯片业者营运,2008年第2季度是慧荣在美挂牌以来,首次未达到财测目标,是相当具挑战性的1季度。
 
    控制芯片业者表示,随着产业毛利率下滑,控制芯片产业势必面临新1波整合潮,加上现在NAND Flash大厂都自己做成卡,大部分模块厂都直接购买成卡,而不需采购控制芯片,对于设计公司而言算是致命冲击,生存空间受到很大影响。
 
    慧荣第2季度出货量超过1亿颗,较2007年同期增长29%,但因为消化库存,以及移动通讯产品组合从调谐器转为系统级封装(SiP)影响,毛利率下滑至47.3%,而在美国那斯达克(NASDAQ)挂牌的IC设计公司,毛利率几乎是以50%为最低门坎。
 
    以非国际公认会计原则(Non-GAAP)会计基础计算,慧荣第2季度每单位稀释之美国存托凭证盈余为0.26美元,较2007年同期衰退43%,然以GAAP会计基础来看,每单位稀释之美国存托凭证盈余为0.06美元,衰退更达78%。苟嘉章表示,主要是因为第2季度有许多一次性认列费用,包括新帝(SanDisk)官司费用、研发费用课税重新计算等。
 
    此外,慧荣也下修全年财测目标,估计全年Non-GAAP每单位美国存托凭证盈余将由之前预计1.95~2.05美元,下修为1.30~1.40美元,而GAAP每单位美国存托凭证盈余预计修正至0.50~0.60美元,同时预告第3季度营收将旺季不旺,较第2季度衰退5~9%。
 
    擎泰也表示,第2季度公司营收和获利都很不错,但第3季度大环境变量相当多,虽然有一些新的快闪记忆卡和随身碟控制芯片订单,但整体来看,不排除第3季度营运较第2季度衰退。
 
    此外,安国产品线除NAND Flash相关产品,也包括卡片阅读机、HUB芯片等,虽然不完全随着NAND Flash产业起伏,然针对第3季度营运也保守表示,仅较第2季度增长10%,NAND Flash产品线贡献度是最大变量。