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中芯国际将于2009年推出45nm和40nm技术 与IBM合作32nm技术

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2008-10-07   阅读:1004

  
      近日,总部位于上海的中国大陆代工厂商中芯国际透露了将于2009年推出45nm和40nm技术。中芯国际表示,希望在2011年前完成32nm的开发,正与IBM商讨32nm技术授权事宜。但是未透露该合作细节。
 
  据悉,在65nm节点之前,中芯国际一直自主开发工艺。而去年下半年中芯国际获得了IBM45nm技术授权。
 
  中芯国际表示,对于目前公司所处的市场地位表示满意,称公司更愿意成为数字电路代工领域的“快速追赶者”。风险投资公司WaldenInternational创始人兼主席Lip-BuTan在近日举行的2008中芯国际技术论坛中表示,65nm和45nm技术较之前的节点将存在更长的时间,部分是因为高额的设计、掩模等成本。
 
  中芯国际在技术方面落后于其主要竞争对手--特许、台积电和联电。特许作为IBM“fabclub”成员,计划于2009年底前推出32nm技术。IBM的32nm技术包括高k金属栅技术。相对于竞争对手,中芯国际并未停止不前。中芯国际美国区总裁SamWang表示。“我们落后于最先进的技术一个世代,但我们正在追赶。” 
 
  然而目前代工市场正在放缓。代工厂的初制晶圆数量正大幅减少。据HSBCGlobalTechnologyResearch的分析师StevenPelayo表示,第四季度晶圆代工厂的产能利用率将降低至75%以下。Wang表示,中芯国际保持对第三季度的预期,但未对第四季度发表评论。
 
  今年下半年,中芯国际开始了65nm世代。目前中芯国际计划提供65nm的低功耗、通用和混合信号/RF技术代工,采用4至10层金属布线、铜互联和三层栅氧化等技术。
 
  据称,2008年第三季度中芯国际已进入65nm低功耗技术“工艺验证(processqualification)”阶段。“工艺验证”标志着该技术已可以进行“风险试产(riskproduction)”,预计年底可投产。65nm通用技术和混合信号/RF技术将分别在明年第一季度和第二季度进入“工艺验证”阶段。2009年第三季度前,中芯国际将进入45nm世代,该技术来自IBM的授权,采用4至10层金属布线、铜互联和超低k介质等技术。该工艺将采用193nm沉浸式光刻,设备由ASML提供。45nm低功耗技术预计将于2009年第三季度进入“工艺验证”阶段。45nm通用技术和混合信号/RF技术将分别于2010年第一季度和第二季度进入“工艺验证”阶段。
 
  中芯国际市场和销售联合副总裁RobertTsu称,基于客户的需要,中芯国际将开发40nm工艺。40nm技术将于2009年底发布。该技术同样来于IBM的授权。并且,其45nm和40nm工艺将在位于上海的300mm工厂投产。预计称,32nm工艺将要到2011年第二季度之后才发布。在公司技术路图上,该32nm低功耗技术将于2011年第二季度进入“工艺验证”阶段。