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ARM 、IBM、特许半导体及三星将通力合作

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2008-10-14   阅读:1142

  
    日前,ARM公司,IBM,特许半导体制造有限公司以及三星电子有限公司联合宣布,未来数年中,他们将通力合作,在由IBM领导的联合开发团队所开发的high-k metal-gate (HKMG)技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统(SoC)设计平台。
  
    据悉,在这一合作中,ARM将为IBM、特许半导体和三星的Common Platform技术联盟开发和授权一个包括逻辑、存储和接口产品在内的物理IP设计平台,用于他们向客户销售的产品。
  
    同时,ARM宣布:将利用Common Platform HKMG 32纳米/28纳米技术独特的特性,开发定制化的物理IP,以实现当前和未来的ARM Cortex系列处理器在功耗、性能和面积等方面的优化。HKMG技术打破了历史上关于扩展的障碍,通过利用新材料科技的创新,大大提高了在功耗和性能方面的优势。这个技术可用于众多嵌入式领域,包括移动产品、便携产品和消费电子产品。
  
    据透露,ARM和Common Platform alliance的早期合作开发工作利用了各自在行业内的领先技术,如处理器IP、物理IP 和技术开发。这一联合将使设计扩展更容易,并加快新一代移动设备的产品上市时间,这些产品将具有无以比拟的性能、出众的电池寿命和更低的成本。
  
    ARM首席执行官Warren East 表示:“通过这个早期的工作,我们为Common Platform的客户打下了出开发具有功耗效率的ARM片上系统的基础。利用我们先进的微型处理器、我们在物理IP设计和由Common Platform支持的先进技术领域的领导地位,客户能够加速其服务于广大消费应用的电子设备的上市时间。”
  
    Common Platform 合作伙伴们期望这一合作行动的生态系统能够继续扩大,在不久的未来吸收更多的成员。这些新的合作伙伴将会提供EDA支持、服务以及IP供应,从而使得客户能够加速采用了这些先进技术的产品的上市时间。
 
    IBM, 特许半导体和三星电子创建了一个独特的包含众多CMOS 32纳米、45纳米、65纳米和90纳米处理技术的制造合作联盟。通过整合三家公司的专业技术和研究资源,并利用包括high-k metal gate技术、193纳米浸没式光刻及超低介电等领先技术,Common Platform技术合作能够加速领先优势技术向代工厂客户的推出。Common Platform模式得到了一个完整的设计合作生态系统的支持,使代工厂客户能以最少的设计工作向多家300-mm 代工厂外包其芯片设计,具有前所未有的灵活性和选择性。
 
    IBM 半导体解决方案总经理Mike Cadigan表示:“IBM一直坚信,不论现在还是将来,在一个开放的合作伙伴生态系统中的协作创新是技术领先的关键。今天,从IBM在Common Platform制造方面的研究到领先的消费应用构,我们和ARM的协作将这一战略拓展到了新的水平。随着我们的合作延伸到了32纳米,IBM正和这一联盟的合作伙伴们就推出领先的技术而共同努力;这些技术将极大地改变我们的生活、工作和娱乐。”
  
    特许半导体总裁兼首席执行官Chia Song Hwee表示:“目前,客户要求一个全新水平的生态系统独立性,以应对完整系统解决方案的复杂性所带来的挑战。ARM和Common Platform合作伙伴的合作将使片上系统在优化和功耗效率方面达到一个新的水平。Common Platform的联合开发和生态系统合作是将创造发明转变为产品的领先模式。”
  
    三星电子执行副总裁 Chang Sik Choi博士表示:“这一协作能够为我们共同的客户提供领先的设计解决方案,这些方案结合了HKMG在32纳米处理技术方面的突破 以及ARM 优化的低功耗、高性能核及库。凭借 Common Platform工厂的高产量,我们的客户将在量产时间方面获益,这对在快速发展的消费电子产品市场取得成功是至关重要的。”