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美光推出串行NAND闪存新技术

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2008-12-11   阅读:980

 
    面向嵌入式应用的闪存技术又有新进展。日前,美光科技有限公司推出一项新的串行NAND闪存技术,此技术采用与并行NAND相同的封装类型,可作为一种过渡方法,帮助生产商在需要的时候从串行接口产品转换到并行NAND接口产品。
 
    据悉,这款串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb,其主要技术优势表现在:与行业标准串行外设接口(SPI)命令集兼容。提供所需的密度,以最大限度提高系统功能,降低物料成本。用户自建的内容直接存储到设备上,无需使用单独的NAND芯片。美光的串行NAND闪存的处理速度为2.64 MB/s,写入速度比NOR闪存(不到0.5MB/s)更快。去掉了外部卡插槽,因此降低了物料成本;并利用芯片上的纠错码(ECC)来解决出厂原始NAND闪存伴生的复杂问题。另外,提供了只读区和保护性的块锁,以避免设备上存储的内容遭到擅自更改。
   
    美光公司NAND市场开发总监Kevin Kilbuck说,“美光的串行NAND技术能提供市场每兆字节成本最低的串行接口闪存。现在有许多嵌入式应用产品需要128M甚至更大的存储空间,我们预计容量需求还会继续增长,这就需要在NOR闪存之外提供基于NAND技术的存储解决方案。”
 
  随着嵌入式系统的发展,需要功能更稳健、密度更高的内存解决方案。WiMAX设备、机顶盒、打印机以及其他工业和汽车应用产品过去只用来进行信息解码,而这样的时代已经一去不复返了。现在,这些设备之中有更为尖端的操作系统,用于管理多媒体、图片和其他数据密集的内容,因此也需要设备提供更大的存储空间。
 
  美光了解到这些应用需求,充分利用其可靠的NAND技术,为客户提供一套密度更高、写入性能更优、扩展性更好的存储解决方案,使用户无需从头至尾重新设计系统,就能扩展其应用产品的存储容量。