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DDR3前景看好 三星开发4Gb DDR3内存芯片

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2009-02-02   阅读:1018

 
    虽然经济危机之下,DRAM市场遭遇严峻考验,但是,DDR3内存芯片前景看好。有预计称,未来配置有DDR3系统内存的PC产品出货量将保持稳定增长,到2011年DDR3在出货量方面所占DRAM市场份额将从今年的29%增长到72%。
 
     日前,三星电子公司针对生产新一代绿色PC的制造商,利用其50纳米电路技术开发了首款4Gb DDR3内存芯片。同时,三星半导体公司技术副总裁Kevin Lee发表声明称:“我们凭借在技术创新方面的优势开发了首款4Gb DDR3,在行业内率先实现了更高的DRAM密度。”
 
     三星表示,新款芯片采用了双晶片(dual-die)封装技术将两个16GB模块封装在一个双晶片封装内,最高容量达到32GB,这也是上一代最高芯片密度产品容量的两倍。
 
    另外,芯片功率为1.35伏,最高速度为1.6Gb。16GB模块要比2Gb DDR3模块的能耗减少40%,因为更高密度的50纳米技术使用了半数的芯片,也就是64个中的32个。
 
    作为一种DRAM技术,DDR3相比DDR2拥有诸多优点,尤其是能够以八倍速率传输I/O数据,而能耗却降低了30%。
 
    据悉,相比目前的DDR3产品,三星这款4Gb DDR3内存芯片将提供更高的容量和更低的能耗,并将被用于服务器的16GB DIMM或者RDIMM;面向工作站和台式机的8GB UDIMM;面向笔记本电脑的8GB SO-DIMM。
 
    去年九月,三星发布了首款采用50纳米2Gb DDR3 DRAM的产品,该公司表示,计划未来所有DRAM产品都将采用50纳米工艺制程。
                           本文出自:http://www.icinf.com