首页- 新闻中心- 正文

东芝、三星布局NANDFlash芯片 30纳米世代即将来临

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2009-06-25   阅读:1016

 
    近期,随着东芝(Toshiba)、三星电子(SamsungElectronics)等厂商相继在NANDFlash芯片领域展开大动作,一方面,英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟面临新的压力,而全球NAND Flash市场或将进去30纳米世代,全球产业也将迎来一番新的变动。
 
    有消息称,日前,东芝宣布将增产NANDFlash芯片,对此,存储器业者认为,由于东芝43纳米制程NANDFlash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链,推测其增产系为苹果供货做准备,因此,并不用太担心会冲击市场。
 
    同时,三星电子除采用既有42纳米制程应战,亦开始准备最新版35纳米制程NANDFlash芯片,且已陆续
送样给控制芯片厂。
 
   控制芯片业者指出,尽管目前英特尔及美光阵营34纳米制程跑在前面,但因产能不多,对市场影响有限,若三星35纳米制程顺利起跑,将防止英特尔和美光阵营坐大机会。不过,三星仍应注意东芝积极开发3-bit-per-cell技术,由于三星在此方面进度始终不如东芝,恐怕市占率会再被东芝侵蚀。模块厂认为,3-bit-per-cell芯片因稳定度问题,或许不能用在固态硬碟(SSD),但绝对可用在随身碟,在成本考量下,3-bit-per-cell技术杀伤力不小。
 
    存储器业者表示,三星35纳米制程量产后,预计伴随成本结构下降,NANDFlash价格恐将再有一波修正,主流规格将由目前16Gb向上推升到32Gb,若应用端仅限于随身碟或快闪记忆卡,恐无法消化这么高容量,可能导致价格下跌,但此亦有助于固态硬碟拉近与硬碟成本,扩大市场需求。对台系模块厂而言,亦乐见NANDFlash厂制程持续微缩,进一步带动SSD产业成长。
 
    分析认为,目前三星和东芝各以42及43纳米制程生产NANDFlash芯片,然三星已开始布局35纳米制程,且已送样给多家控制芯片厂,希望能配合加快脚步,一旦三星35纳米制程芯片量产,NANDFlash市场将进入30纳米世代。