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英特尔美光上演绝地大反攻 NAND Flash超低价攻城略地

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2009-07-23   阅读:951

 
    虽然英特尔和美光进入NAND Flash市场以来一直处于追赶三星状态,但是目前,市场状况似乎有所改变。一方面,英特尔和美光合资成立IM Flash在2009年领先推出全球成本最低的34纳米制程NAND Flash产品;另一方面,存储器模块厂透露,近期英特尔与美光阵营在现货市场价格策略犀利,几乎是以大杀价方式,吸引下游厂买盘进驻,策略性地抢食原本三星客户族群。
 
    据悉,英特尔与美光为应战三星电子42纳米制程推出的34纳米制程技术相较于三星和东芝(Toshiba)最先进制程分别为42与41纳米,以及海力士(Hynix)41纳米近期开始量产出货,英特尔阵营打了漂亮一仗,并促使三星和东芝下半年快马加鞭要转进30纳米制程。
 
    除加快制程脚步,美光2009年在NAND Flash市场布局相当具企图心,原本苹果(Apple)新产品iPhone 3G S的NAND Flash供应商以东芝为主,然近期下游厂透露,美光NAND Flash产品已通过iPhone 3G S认证,预计8月开始出货,这对于美光而言,将是相当重要里程碑。
 
    下游厂商透露,近期英特尔和美光32Gb芯片价格硬是比其它品牌便宜1美元,三星2009年策略大转变,坚持守住利润而不冲营收作法,让三星目前在32Gb芯片价格,比英特尔阵营足足高出近3美元,1颗报价接近8美元,中间价差相当惊人,而同样情况亦出现在64Gb产品价格上。而此策略亦让英特尔阵营近期NAND Flash产品询问度大增,三星在现货市场活络度则降低。
 
    一方面是美光和英特尔34纳米制程极具成本竞争力,有本钱继续杀价,另一方面则是策略性地抢食原本三星客户族群。
 
    模块厂表示,这其实符合2009年三星在NAND Flash领域策略方向,包括获利至上、不盲目冲刺市占率和营收,策略性降低现货供应比重,主攻系统OEM等大型合约客户,过去常出现与台厂有暗盘交易、价格保护(PP)等方式,2009年一律不再出现,此举有助于三星获利结构更稳定,但亦使得部分现货市场客户开始倒向英特尔与美光等阵营。
 
    存储器厂指出,目前,英特尔与美光这招降价策略其实相当奏效,近期市场询问度提高很多,买卖交易颗粒几乎以英特尔与美光产品居多,三星不仅较贵,加上其对现货市场释出货源有限,使得三星颗粒询问度降低。