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IC封装术语汇集(一)

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2009-09-30   阅读:1583

FONT-FAMILY: ˎ̥"> 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得不 怎么大,而引脚数比插装型多(250528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

23JLCC(J-leaded chip carrier) J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(CLCC QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。

24LCC(Leadless chip carrier) 无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN QFNC(QFN)

25LGA(land grid array) 触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触点(1.27mm 中心距)447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑 LSI 电路。 LGA QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗 小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计 今后对其需求会有所增加。

26LOC(lead on chip) 芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。

27LQFP(low profile quad flat package) 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。

28LQUAD 陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高78 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)160 引脚(0.65mm 中心距)LSI 逻辑用封装,并于1993 10 月开始投入批量生产。

29MCM(multi-chip module) 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分 MCMLMCMC MCMD 三大类。 MCML 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。 MCMC 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCML MCMD 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)SiAl 作为基板的组件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。

30MFP(mini flat package) 小形扁平封装。塑料SOP SSOP 的别称(SOP SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。

31MQFP(metric quad flat package) 按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm2.0mm 的标准QFP(QFP)

32MQUAD(metal quad) 美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷 条件下可容许2.5W2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。

33MSP(mini square package) QFI 的别称(QFI),在开发初期多称为MSPQFI 是日本电子机械工业会规定的名称。

34OPMAC(over molded pad array carrier) 模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称( BGA)

35P(plastic) 表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP