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龙芯世纪对芯片PSD854F2V解密成功

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2010-09-10   阅读:982

    目前,龙芯世纪在IC解密/单片机解密/芯片解密技术研究领域中取得了丰硕的科研成果,已成功对芯片PSD854F2V等众多品牌芯片解密成功,实现对多项技术的攻关!
    长期以来龙芯世纪以技术研究为主要目的,为各类电子企业及电子工程师提供解密技术支持与芯片破解研究服务,在国内外反向技术研究领域奠定了行业领导者的权威地位。
    下面这是芯片PSD854F2V的一些参数进攻参考,如需了解更多信息,我们欢迎您的来电咨询!
PSD854F2V  Features: 
· 5V±10% Single Supply Voltage 
·  Up to 2Mbit of Primary Flash Memory (8 uniform 
sectors, 32K x 8) 
·  Up to 256Kbit Secondary Flash Memory (4 
uniform sectors) 
·  Up to 256Kbit SRAM 
·  Over 3,000 Gates of PLD: DPLD and CPLD 
·  27 Reconfigurable I/O ports 
·  Enhanced JTAG Serial Port 
·  Programmable power management 
·  High Endurance: 
– 100,000 Erase/WRITE Cycles of Flash 
Memory 
– 1,000 Erase/WRITE Cycles of PLD