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首款30纳米4GB DDR3内存芯片研制成功

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2011-01-11   阅读:717

  全球第二大内存芯片厂商海力士半导体星期三称,它已经开发出一种新的基于30纳米技术的内存芯片。这个里程碑式的事件可能会帮助海力士渡过全球半导体市场的衰退。海力士在声明中说,它开发出了使用30纳米技术的全球第一个4GB DDR3内存。这种新的芯片主要面向高端服务器和PC市场,提供比目前采用40纳米技术制作的内存芯片更快的速度并且将效率提高70%。
  海力士在明年第一季度还将生产采用30纳米技术的其它小容量的DRAM内存芯片。这种最新产品的生产将在未来几个月之内实施。
  专家说,此举表明海力士正在从40至50纳米技术向30至40纳米技术过渡。采用高级的技术,芯片厂商能够显着降低生产成本和得到更多的利润。
  Kiwoom证券公司技术行业研究负责人Kim Seong-in说,台湾和日本的企业仍在重点使用50至60纳米技术。而海力士正在向30至40纳米技术过渡。成本竞争优势种的这个差距将扩大。
  Kim补充说,此举还将帮助韩国芯片厂商通过降低生产成本应对半导体行业最近的衰退。
  据LIG投资与证券公司分析师Kim Young-jun说,2010年第四季度全球PC需求低于预期促使内存芯片价格下降。12月份的2GB DDR3 DRAM内存价格比三个月前下降了54%。