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DAC121S101单片机结构特征介绍及解密

来源:芯片解密-龙芯世纪   时间:2011-04-06   阅读:1030

   为适应众多客户的具体解密需求,龙芯世纪针对芯片解密进行攻关项目,目前,我们已经成功突破全系列IC解密技术,不仅成功开发出成熟可靠的优质解密方案,而且在解密周期与成本控制技术上有了很大提高,可以为客户提供极具可靠性和经济价值的优质解密服务。

   随着芯片解密研究中的不断进展,龙芯世纪的解密技术不断成熟,解密方案更为可靠,能够为客户提供最值得信赖的技术支持。下面我们就DAC121S101芯片解密为例,针对DAC121S101芯片的主要性能特征进行分析介绍,供广大客户及其他技术工程师参考借鉴。
  DAC121S101 Features
  Total Ionizing Dose 100 krad(Si)
  Single Event Latch-up 120 MeV-cm2/mg
  Guaranteed Monotonicity
  Low Power Operation
  Rail-to-Rail Voltage Output
  Power-on Reset to Zero Volts Output
  SYNC Interrupt Facility
  Wide power supply range (+2.7 V to +5.5 V)
  Small Packages
  Power Down Feature
  Resolution 12 bits
  DNL +0.21, -0.10 LSB (typ)
  Output Settling Time 12.5μs (typ)
  Zero Code Error 2.1 mV (typ)
  Full-Scale Error ?0.04 %FS (typ)
  Power Dissipation
  - Normal Mode 0.52 mW (3.6 V) / 1.19 mW (5.5 V) typ
  - Pwr Down
  Mode
  0.014μW (3.6 V) / 0.033μW (5.5 V) typ
  Battery-Powered Instruments
  Digital Gain and Offset Adjustment
  Programmable Voltage & Current Sources
  Programmable Attenuators
  The DAC121S101 operates over the extended temperature
  range of -55°C to +125°C.

 以上我们仅针对DAC121S101单片机的主要性能特征进行了简单介绍,供大家参考借鉴,如果有DAC121S101芯片解密需求,欢迎与龙芯世纪商务中心联系。
  电子商务中心服务热线:086-0755-83757007
  联系邮箱(Email):market2@pcblab.net